在探索一种工艺路线简单、过程参数可控的方法，合成一维p型硫属化合物半导体纳米结构，并对其电学性能及光电响应性能进行研究，实现其在纳米电子、纳米光电器件的应用。一维硫属化合物半导体材料由于其较强的自补偿效应，往往呈现出n型半导体性能，限制了其在半导体同质结和异质结中的应用锌矿结构-电动折弯机张家港数控滚圆机价格低电动液压弯管机多少钱，而合成p型一维硫属化合物半导体材料一直以来也是一项具有重要意义和富有挑战性的研究工作。一维硫属化合物半导体材料的晶体结构及其缺陷研究结果表明，阴离子空位是形成其n型半导体性能主要因素，而阳离子空位则可以实现其p型导电性。本论文通过对热蒸发过程中的气相、固相以及气固相转变过程的化学热力学与动力学过程进行研究分析，认为控制合成反应过程的气氛组成和气压可以调制纳米结构的组成成分，形成阳离子空位，实现其p型导电性。采用掺杂和阴离子气氛补偿技术，合成了系列一维p型硫属化合物半导体纳米结构，并对其晶体结构和生长机制进行了分析研究， 本文由弯管机网站采集网络资源整理! http://www.wanguanjixie.cc通过构筑基于一维纳米结构的电子器件，对其电学性能和光电响应性能进行了研究探索，利用空穴理论解释了p型半导体性能的晶体学成因。本项研究成果有助于推动一维p型硫属化合物半导体纳米结构在未来纳米电子器件的广泛应用。取得的主要研究成果如下：1、采用热蒸发的方法合成本征p型ZnTe纳米带，具有立方闪锌矿结构，宽度约为300nm，长度超过20μm，厚度约为30nm，表面洁净、形貌均一。构造了基于单根纳米带的纳米场效应管，其电学性能研究结果显示，所合成本征ZnTe纳米带具有p型半导体性能，迁移率μh为6.2×10-3cm2V-1S-1，载流子浓度nh为2.2×1019cm-3锌矿结构-电动折弯机张家港数控滚圆机价格低电动液压弯管机多少钱 本文由弯管机网站采集网络资源整理! http://www.wanguanjixie.cc